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标题: 先睹为快：op+mosfet耳房之原理和pcb三维图[公告] [打印本页]

作者: kopfhorer 时间: 2003-10-28 00:00
标题: 先睹为快：op+mosfet耳房之原理和pcb三维图[公告]
目的：简单，好声，高性价比
   围绕这一目的，我试过了不少的电路，包括简单的op+buf634(也就是国外比较流行的mint电路），op+mosfet,全分离器件全平衡的耳房电路（与平衡老师的11j电路结构相似），lc-king等等。最后发现声音还是全平衡的电路比较好，可是制作难度高，调试也颇费周折，不能保证每台机器的声音一样（因为他对晶体的性能，配对要求很高）；其他几款都是op扩流的一系列应用。其实用op+buf634是我最早的方案，可是buf634的价格高，货源少，样机的声音对不起投入，因此放弃了。
   而op+mosfet既有制作的便捷，又托了mosfet的福，声音具有一定水准，所以决定采用。
   电路的原型是Sheldon D. Stokes 的SDS Labs Headphone Amplifier

该作者是使用grado sr60耳机，所以在他的基础上我进行了一系列的改动，使它不仅能有足够的电流驱动低阻耳机，还应该有足够的电压摆幅，驱动高阻耳机。
1。首先是mosfet的偏置形式，我使用了npn构成的倍乘器
2。采取了center bias，以获得更大的摆幅
3。运放两级稳压。这样做的好处：一来，mosfet的供电可以不受运放电压的限制，能够用比较高得电压；二来，运放处于信号通路的前端，比较敏感，用两级稳压以提供更稳定的电源。
4。采用多个小电容并联，这样能降低电源内阻，同时使PCB安装后的高度不会很大，使机壳的选择余地更大。
改动后的电路：

PCB的三维图：

PCB尺寸：65毫米*135毫米（PCB板包括主放大电路和电源线路）

[此贴子已经被作者于2003-9-14 2:44:14编辑过]

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